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2SK3798(Q,M)

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2SK3798(Q,M)

制造商
描述
Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
分类
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商业参数

标准包装数量Rail / Tube

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±30 V
FET特性Standard最大功率40W
下降时间(典型)45 nsVgs(th)(最大)@ Id4V @ 1mA
击穿电压900 V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs3500@10V mOhm
传播延迟(最大)20 ns栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs26nC @ 10V
漏源电压(Vdss)900V峰值脉冲电流(10/1000µs)4 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds800pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C4A (Ta)

机械参数

包装方式Bulk安装类型Through Hole
封装形式3TO-220NIS供应商器件封装TO-220SIS

产品信息

通道类型Enhancement

环境参数

工作温度-55 to 150 °C