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2SK3176(F)
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN 2SK3176(F), N-channel MOSFET Transistor 30A 200V, 3-Pin TO-3PN MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm Toshiba , N沟道 MOSFET, 30 A, Vds=200 V, 3针 TO-3PN封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 50 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 25 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 150W | 额定功率 | 150 W |
| 下降时间（典型） | 25 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 15 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 供电电压 | 200 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 0.052 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V @ 1mA | 击穿电压 | 200 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 52@10V mOhm | 平均正向功率 | 150 W |
| 最大功耗 | 150 W | 传播延迟（最大） | 15 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V | 导通电阻（最大） | 0.052 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 125nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 30 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 30 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 5400pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 4.8mm | 高度 | 19mm |
| 长度 | 15.9mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | 3TO-3PN |
| 冷却的封装 | TO-3PN | 包装数量 | TO-3PN |
| 尺寸/外形 | 15.9 x 4.8 x 19mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P(N) | ||
产品信息
| 系列 | 2SK3176 | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Toshiba | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||