#1 |
数量:4970 |
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最小起订量:1 英国伦敦 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:3516 |
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最小起订量:1 英国伦敦 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:2912 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
VEMT2523SLX01 |
单位包 | 6000 |
最小起订量 | 6000 |
电流 - 暗( Id)(最大) | 1nA |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 50mA |
定位 | Side View |
安装类型 | Surface Mount, Right Angle |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
可视角度 | 70° |
功率 - 最大 | 100mW |
标准包装 | 3,000 |
波长 | 850nm |
其他名称 | VEMT2523SLX01-ND |
封装/外壳 | 2-SMD, Side View |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
产品种类 | Phototransistors |
最大暗电流 | 100 nA |
最大功率耗散 | 100 mW |
最高工作温度 | + 100 C |
产品 | Phototransistors |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 20 V |
封装 | Reel |
集电极 - 发射极击穿电压 | 20 V |
最低工作温度 | - 40 C |
类型 | Silicon NPN Phototransistor |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | :NPN |
Wavelength Typ | :850nm |
No. of Pins | :2 |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85414010 |
封装/外壳 | 2-SMD, Side View |
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