图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
VEMT2500X01, VEMT2520X01 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 封装/外壳 | Reverse Gull Wing |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 20 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装 | Reel |
| 产品 | Phototransistors |
| 类型 | Phototransistor |
| 波长 | 850 nm |
| 单位包 | 6000 |
| 最小起订量 | 6000 |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 1nA |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| 可视角度 | 30° |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 标准包装 | 6,000 |
| 封装/外壳 | 2-SMD, Z-Bend |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Wavelength Typ | :850nm |
| 功耗 | :100mW |
| Transistor Case Style | :- |
| No. of Pins | :2 |
| MSL | :MSL 2A - 4 weeks |
| Angle of Half Sensitivity ± | :15° |
| Breakdown Voltage Vbr | :20V |
| 暗电流 | :1nA |
| Weight (kg) | 4 |
| Tariff No. | 85414090 |
| 系列 | * |
| 其他名称 | VEMT2500X01CT |
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