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数量:80 |
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| 规格书 |
SIHB23N60E-GE3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 23A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | D²PAK (TO-263) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 158 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 227W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2418pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 95nC @ 10V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 23 A |
| 系列 | E |
| RDS（ON） | 158 mOhms |
| 功率耗散 | 227 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 6.4 S |
| 栅极电荷Qg | 95 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 66 ns |
| 上升时间 | 38 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 34 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 23A (Tc) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 4.83 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 长度 | 10.67 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
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