规格书 |
SiHB33N60E |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 33A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 99 mOhm @ 16.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 150nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3508pF @ 100V |
功率 - 最大 | 278W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Bulk |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16445?mpart=SIHB33N60E-GE3&vendor=742&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
P( TOT ) | 278W |
匹配代码 | SIHB33N60E |
安装 | SMD |
R( THJC ) | 0.45K/W |
LogicLevel | NO |
包装 | TO263 |
单位包 | 1000 |
标准的提前期 | 12 weeks |
最小起订量 | 1000 |
Q(克) | 150nC |
LLRDS (上) | n.s.Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | n.s.V |
我(D ) | 33A |
V( DS ) | 600V |
技术 | ESeries |
的RDS(on ) at10V | 0.099Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Standard |
封装 | Bulk |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 33A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
供应商设备封装 | D²PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 99 mOhm @ 16.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 278W |
标准包装 | 1,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3508pF @ 100V |
其他名称 | SIHB33N60EGE3 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 150nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 33 A |
封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
下降时间 | 80 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | E-Series |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 11 S |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 150 ns |
源极击穿电压 | 4 V |
系列 | E |
RDS(ON) | 99 mOhms |
功率耗散 | 278 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 90 ns |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅极电荷Qg | 150 nC |
Continuous Drain Current Id | :33A |
Drain Source Voltage Vds | :600V |
On Resistance Rds(on) | :0.083ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :2V |
No. of Pins | :3 |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85412900 |
功耗 | :278W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-263 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
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