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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SIHB33N60E-GE3 

产品描述

MOSFET N CH 600V 33A TO-263

内部编号

5-SIHB33N60E-GE3

生产厂商

Vishay Siliconix

vishay

#1

数量:483
1+¥42.24
10+¥35.03
100+¥28.84
最小起订量:1
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:580
1+¥42.4621
10+¥34.1201
100+¥31.1115
250+¥28.0346
500+¥25.026
1000+¥21.1285
2000+¥20.1028
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:18
2+¥42.9875
50+¥36.556
100+¥34.5705
250+¥34.2285
500+¥33.896
最小起订量:2
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SIHB33N60E-GE3产品详细规格

规格书 SIHB33N60E-GE3 datasheet 规格书
SiHB33N60E
SIHB33N60E-GE3 datasheet 规格书
SIHB33N60E-GE3 datasheet 规格书
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 33A
Rds(最大)@ ID,VGS 99 mOhm @ 16.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 150nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3508pF @ 100V
功率 - 最大 278W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK
包装材料 Bulk
动态目录 N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16445?mpart=SIHB33N60E-GE3&vendor=742&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
P( TOT ) 278W
匹配代码 SIHB33N60E
安装 SMD
R( THJC ) 0.45K/W
LogicLevel NO
包装 TO263
单位包 1000
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 1000
Q(克) 150nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 33A
V( DS ) 600V
技术 ESeries
的RDS(on ) at10V 0.099Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 33A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
供应商设备封装 D²PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 99 mOhm @ 16.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 278W
标准包装 1,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 3508pF @ 100V
其他名称 SIHB33N60EGE3
闸电荷(Qg ) @ VGS 150nC @ 10V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 33 A
封装/外壳 D2PAK (TO-263)
下降时间 80 ns
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
商品名 E-Series
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 11 S
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 150 ns
源极击穿电压 4 V
系列 E
RDS(ON) 99 mOhms
功率耗散 278 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 90 ns
漏源击穿电压 600 V
栅极电荷Qg 150 nC
Continuous Drain Current Id :33A
Drain Source Voltage Vds :600V
On Resistance Rds(on) :0.083ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2V
No. of Pins :3
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
功耗 :278W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-263
MSL :MSL 1 - Unlimited

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