#1 |
数量:120 |
|
最小起订金额:¥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||
#2 |
数量:120 |
|
最小起订金额:¥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||
#3 |
数量:2950 |
|
最小起订量:1 加州 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
规格书 |
![]() ![]() IRFD210 ![]() |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 600mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 8.2nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 140pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | 4-DIP (0.300, 7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
包装材料 | Tube |
包装 | 4HVMDIP |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 200 V |
最大连续漏极电流 | 0.6 A |
RDS -于 | 1500@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 8.2 ns |
典型上升时间 | 17 ns |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
典型下降时间 | 8.9 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 3.37(Max) |
最大功率耗散 | 1000 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 1500@10V |
最大漏源电压 | 200 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 6.29(Max) |
供应商封装形式 | HVMDIP |
包装长度 | 5(Max) |
PCB | 4 |
最大连续漏极电流 | 0.6 |
引脚数 | 4 |
单位包 | 100 |
最小起订量 | 2500 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 600mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
供应商设备封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
其他名称 | *IRFD210PBF |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1W |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 140pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 8.2nC @ 10V |
封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Dual Drain, Single |
外形尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm |
身高 | 3.37mm |
长度 | 5mm |
最大漏源电阻 | 1.5 Ω |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 1 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | HexDIP, HVMDIP |
典型栅极电荷@ VGS | 8.2 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 140 pF V @ 25 |
宽度 | 6.29mm |
漏极电流(最大值) | 0.6 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
功率耗散 | 1 W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 1.5 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 200 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
连续漏极电流 | 0.6 A |
晶体管极性 | :N Channel |
Continuous Drain Current Id | :600mA |
Drain Source Voltage Vds | :200V |
On Resistance Rds(on) | :1.5ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :4V |
功耗 | :1W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :DIP |
No. of Pins | :4 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
Current Id Max | :600mA |
Current Temperature | :25°C |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Junction Temperature Tj Max | :150°C |
Junction Temperature Tj Min | :-55°C |
引线间距 | :2.54mm |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Pulse Current Idm | :4.8A |
Row Pitch | :7.62mm |
Voltage Vds Typ | :200V |
Voltage Vgs Max | :20V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
Weight (kg) | 0.000255 |
Tariff No. | 85412100 |
Current,Drain | 0.6A |
GateCharge,Total | 8.2nC |
PackageType | HD-1 |
极化方式 | N-Channel |
PowerDissipation | 1W |
Resistance,DraintoSourceOn | 1.5Ohms |
Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
Time,Turn-OffDelay | 14ns |
Time,Turn-OnDelay | 8.2ns |
Transconductance,Forward | 0.1S |
Voltage,Breakdown,DraintoSource | 200V |
Voltage,Forward,Diode | 2V |
Voltage,GatetoSource | ±20V |
案例 | DIP4 |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 1W |
Drain-source voltage | 200V |
极化 | unipolar |
Drain current | 600mA |
Multiplicity | 1 |
Gross weight | 0.63 g |
On-state resistance | 1.5Ω |
Collective package [pcs] | 20 |
spg | 20 |
IRFD210PBF也可以通过以下分类找到
IRFD210PBF相关搜索