图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 IRFD210 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 600mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 4-DIP (0.300, 7.62mm) |
| 供应商器件封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 4HVMDIP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.6 A |
| RDS -于 | 1500@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.2 ns |
| 典型上升时间 | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 典型下降时间 | 8.9 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.6 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 1500 mOhms |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | HexDIP-4 |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 17 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1000 mW |
| 上升时间 | 17 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 600mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 其他名称 | *IRFD210 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 140pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.2nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| RDS（ON） | 1500 mOhms |
IRFD210也可以通过以下分类找到
IRFD210相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家