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文档 |
TIP29A View All Specifications TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
其他相关文件 | TIP29A View All Specifications |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 700mV @ 125mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 300µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 15 @ 1A, 4V |
功率 - 最大 | 2W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 60 V |
集电极最大直流电流 | 1 A |
最小直流电流增益 | 40@0.2A@4V|15@1A@4V |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.7@125mA@1A V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 2000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 1 |
最低工作温度 | -65 |
包装宽度 | 4.6(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 2000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 60 |
最大集电极发射极电压 | 60 |
供应商封装形式 | TO-220 |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 10.4(Max) |
包装高度 | 9.15(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Tube |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 700mV @ 125mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 300µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
功率 - 最大 | 2W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 15 @ 1A, 4V |
其他名称 | 497-2580-5 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.7 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 15 |
直流电流增益hFE最大值 | 75 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 1 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 1 A |
集电极 - 基极电压 | 60 V |
集电极 - 发射极电压 | 60 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
功率耗散 | 2 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-220 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 40 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 1 A |
直流电流增益 | 40 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
功耗 | :2W |
DC Collector Current | :1A |
DC Current Gain hFE | :75 |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-220 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Collector Emitter Voltage Vces | :700mV |
连续集电极电流Ic最大 | :1A |
Current Ic Continuous a Max | :1A |
Current Ic hFE | :200mA |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Gain Bandwidth ft Min | :3MHz |
Hfe Min | :40 |
No. of Transistors | :1 |
Power Dissipation Ptot Max | :30W |
Voltage Vcbo | :60V |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412900 |
Current,Collector | 1A |
Current,Gain | 75 |
PackageType | TO-220 |
极性 | NPN |
PowerDissipation | 30W |
PrimaryType | Si |
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 60V |
Voltage,CollectortoBase | 60V |
Voltage,CollectortoEmitter | 60V |
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.7V |
Voltage,EmittertoBase | 5V |
associated | TIP29A SK 409/254 STS SK 409/508 STS SK 145/375 STS-220 MK3311 MK3306 More> |
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