图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 TIP29-30(A,B,C) |
| 文档 |
TO-220(AB) Side 1 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 700mV @ 125mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 300µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 15 @ 1A, 4V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 频率转换 | 3MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
| 包装宽度 | 4.82(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 30000 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 引脚数 | 3 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10.67(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 最小直流电流增益 | 40@0.2A@4V|15@1A@4V |
| 包装高度 | 9.02(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Bulk |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 700mV @ 125mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 300µA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 15 @ 1A, 4V |
| 其他名称 | TIP29BBP |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 最大功率耗散 | 30000 mW |
| 系列 | TIP29B |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Pd - Power Dissipation | 30000 mW |
| 身高 | 9.02 mm (Max) |
| 宽度 | 4.82 mm (Max) |
| 长度 | 10.67 mm (Max) |
| 品牌 | Micro Commercial Components (MCC) |
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