图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
STx40N60M2 |
| 系列 | * |
| 其他名称 | 497-14203-5 |
| 标准包装 | 30 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 88 mOhm @ 17A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2500pF @ 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 34A (Tc) |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 57nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 600 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 57 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| 下降时间 | 11 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 34 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 88 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| 上升时间 | 13.5 ns |
| 技术 | Si |
| P（ TOT ） | 250 W |
| R（ THJC ） | 0.5 K/W |
| I(D)at Tc=25°C | 34 A |
| 包装 | TO247 |
| 汽车 | NO |
| Q（克） | 57 nC |
| Configuartion | N-CH |
| Logic level | NO |
| 安装 | THT |
| RDS(on)at 10V | 88 mOhm |
| V（ DS ） | 600 V |
| Leadfree Defin | RoHS-conform |
| Fast bodydiode | NO |
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