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厂商型号

STW40N20 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

内部编号

390-STW40N20

生产厂商

stmicroelectronics

stm

#1

数量:0
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美国费城
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STW40N20产品详细规格

规格书 STW40N20 datasheet 规格书
STx40N20
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 40A
Rds(最大)@ ID,VGS 45 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 75nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2500pF @ 25V
功率 - 最大 160W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
包装材料 Tube;;其他的名称;
包装 3TO-247
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 40 A
RDS -于 45@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 20 ns
典型上升时间 44 ns
典型关闭延迟时间 74 ns
典型下降时间 24 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
包装宽度 5.15(Max)
PCB 3
最大功率耗散 160000
最大漏源电压 200
欧盟RoHS指令 Supplier Unconfirmed
最大漏源电阻 45@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-247
标准包装名称 TO-247
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 15.75(Max)
引脚数 3
包装高度 20.15(Max)
最大连续漏极电流 40
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 40A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 200V
供应商设备封装 TO-247-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 45 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 160W
封装/外壳 TO-247-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 2500pF @ 25V
其他名称 497-4427-5
闸电荷(Qg ) @ VGS 75nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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