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| 规格书 |
 MJDxx55 |
| 文档 |
MJD3055 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | MJD3055 View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 8V @ 3.3A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 4A, 4V |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 频率转换 | 2MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3DPAK |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 最小直流电流增益 | 20@4A@4V|5@10A@4V |
| 最大工作频率 | 2(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.1@0.4A@4A|8@3.3A@10A V |
| 最大集电极基极电压 | 70 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 20000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 20000 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 2(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 70 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 20W |
| 匹配代码 | MJD3055T4 |
| I（C ） | 10A |
| V（ CEO ） | 60V |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| 极化 | NPN |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 20 |
| V（ CBO ） | 70V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 10A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 2MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 8V @ 3.3A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 功率 - 最大 | 20W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 4A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 497-7854-1 |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2.4 x 6.6 x 6.2mm |
| 身高 | 2.4mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | D-PAK |
| 宽度 | 6.2mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 增益带宽产品fT | 2 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 70 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 10 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 10 A |
| 集电极 - 基极电压 | 70 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 2 MHz |
| 功率耗散 | 20 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 20 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 2 MHz |
| 直流电流增益 | 20 |
| 集电极电流（DC ） | 10 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| 功耗 | :20W |
| DC Collector Current | :10A |
| DC Current Gain hFE | :5 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | 573100D00000G |
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