on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 最小直流电流增益 | 20@4A@4V|5@10A@4V |
| 最大工作频率 | 2(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.1@0.4A@4A|8@3.3A@10A V |
| 最大集电极基极电压 | 70 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1750 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| Maximum Transition Frequency | 2(Min) |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 1750 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 70 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 包装高度 | 2.38(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 10A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 2MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 8V @ 3.3A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 4A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 at 4 A at 4 V |
| 增益带宽产品fT | 2 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 70 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 10 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| Transition Frequency ft | :2MHz |
| 功耗 | :1.75W |
| DC Collector Current | :10A |
| DC Current Gain hFE | :2 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :20V |
| Current Ic Continuous a Max | :10A |
| Gain Bandwidth ft Typ | :2MHz |
| Hfe Min | :100 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Weight (kg) | 0.04 |
| Tariff No. | 85412100 |
| Current,Collector | 10A |
| Current,Gain | 5 |
| 频率 | 2MHz |
| PackageType | DPAK |
| 极性 | NPN |
| PowerDissipation | 20W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 6.25°C/W |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 60V |
| Voltage,CollectortoBase | 70V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 60V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 8V |
| Voltage,EmittertoBase | 5V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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