图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 280nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| RDS -于 | 2.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 23 ns |
| 典型上升时间 | 24 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 典型下降时间 | 17.9 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 2.5@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 300000 |
| 最大连续漏极电流 | 80 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 28A (Ta), 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 15000pF @ 25V |
| 其他名称 | FDB8441TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 280nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻 | 0.003 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D2PAK, TO-263AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 215 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 15000 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 系列 | FDB8441 |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| RDS（ON） | 1.9 mOhms |
| 功率耗散 | 300 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 上升时间 | 24 ns |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 17.9 ns |
| Continuous Drain Current Id | :28A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :1.9mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2.8V |
| 功耗 | :300W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :2 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Alternate Case Style | :TO-263 |
| Capacitance Ciss Typ | :15000pF |
| Current Id Max | :28A |
| Fall Time tf | :17.9ns |
| Junction Temperature Tj Max | :175°C |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Pin Format | :G,D,S |
| Pulse Current Idm | :70A |
| Reverse Recovery Time trr Typ | :52ns |
| SMD Marking | :FDB8441 |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :40V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
| Weight (kg) | 0.00143 |
| Tariff No. | 85412900 |
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