fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| RDS -于 | 2.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 23 ns |
| 典型上升时间 | 24 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 典型下降时间 | 17.9 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 28A (Ta), 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 15000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 280nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 系列 | FDB8441 |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| RDS（ON） | 1.9 mOhms |
| 功率耗散 | 300 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 上升时间 | 24 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 下降时间 | 17.9 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 28A (Ta), 80A (Tc) |
| 其他名称 | FDB8441_F085CT |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.67mm |
| 典型输入电容值@Vds | 15000 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 4.83mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 4.3 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 300 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 9.65mm |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 典型接通延迟时间 | 23 ns |
| 典型关断延迟时间 | 75 ns |
| 封装类型 | TO-263AB |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 引脚数目 | 2+Tab |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 215 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| 长度 | 10.67 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.9 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 身高 | 4.83 mm |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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