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#1 |
数量:188070 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:188070 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2300 |
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最小起订量:100 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 2N7002W Datasheet |
| 文档 |
Qualification of Manufacturing Source 25/Nov/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 115mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SC-70 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SC-70 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 7500@5V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOT-323 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 最大连续漏极电流 | 0.115 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 115mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商设备封装 | SC-70 |
| 其他名称 | 2N7002WTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 25V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.115 A |
| 系列 | 2N7002W |
| 单位重量 | 0.001058 oz |
| RDS（ON） | 7500 mOhms at 5 V |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型关闭延迟时间 | 12.5 ns |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 0.115 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 安装 | Surface Mount |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 7.5 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-323 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 高度 | 1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 37.8 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 13.5 Ω |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.25mm |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 1mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 5.85 ns |
| 典型关断延迟时间 | 12.5 ns |
| 封装类型 | SOT-323 |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 115 mA |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5 Ohms |
| 身高 | 1 mm |
| 典型导通延迟时间 | 5.85 ns |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 技术 | Si |
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