#1 |
数量:290864 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:122251 |
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最小起订量:3000 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:5040 |
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最小起订量:20 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
2N7000/02, NDS7002A Datasheet |
文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 Qualification of Manufacturing Source 25/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 115mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 50pF @ 25V |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
associated | 2N7002-T1-E3 2N7002LT1G D00349 MC33260 120-5. 3209885-M |
2N7002也可以通过以下分类找到
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