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厂商型号

AOTF29S50L 

产品描述

MOSFET N-CH 500V 29A TO220F

内部编号

28-AOTF29S50L

#1

数量:917
1+¥24.656
25+¥19.799
100+¥18.04
250+¥16.28
500+¥14.608
1000+¥12.32
2500+¥11.704
5000+¥11.22
10000+¥10.912
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AOTF29S50L产品详细规格

规格书 AOTF29S50L datasheet 规格书
AOx(F)29S50L
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 29A
Rds(最大)@ ID,VGS 150 mOhm @ 14.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.9V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 26.6nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1312pF @ 100V
功率 - 最大 37.9W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
动态目录 N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16085?mpart=AOTF29S50L&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 29A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.9V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 500V
供应商设备封装 TO-220F
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 150 mOhm @ 14.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 37.9W
标准包装 50
输入电容(Ciss ) @ VDS 1312pF @ 100V
其他名称 785-1444-5
闸电荷(Qg ) @ VGS 26.6nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack

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