Alpha & Omega Semiconductor Inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A (Ta), 33A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 其他名称 | 785-1382-5 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 14.5 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1670pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 10V |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1670pF @ 15V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 14.5 mOhm @ 20A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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