图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTJD4158C |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V, 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 250mA, 880mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 100µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 1.5nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 33pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 270mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N and P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-and-p-channel-logic-level-gate-fets/16917?mpart=NTJD4158CT1G&vendor=488&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 6SC-88 |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30@N Channel|20@P Channel V |
| 最大连续漏极电流 | 0.25@N Channel|0.88@P Channel A |
| RDS -于 | 1500@4.5V@N Channel|260@4.5V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | ±20@N Channel|±12@P Channel V |
| 典型导通延迟时间 | 15@N Channel|5.8@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 66@N Channel|6.5@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 56@N Channel|13.5@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 78@N Channel|3.5@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20@N Channel|±12@P Channel |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 1500@4.5V@N Channel|260@4.5V@P Ch... |
| 最大漏源电压 | 30@N Channel|20@P Channel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SC-88 |
| 最大功率耗散 | 270 |
| 最大连续漏极电流 | 0.25@N Channel|0.88@P Channel |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 250mA, 880mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 100µA |
| 供应商设备封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 270mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V, 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 33pF @ 5V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.5nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTJD4158CT1GOSCT |
| 类别 | Small Signal |
| 配置 | Dual Drain, Dual Gate, Dual Source |
| 外形尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 2.2mm |
| 最大漏源电阻 | 0.5 (P-Channel) Ω, 2.5 (N-Channel) Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.27 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SC-88 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 0.9 nC @ 5 V, 2.2 nC @ -4.5 V |
| 典型输入电容@ VDS | 155 pF @ -20 V, 20 pF @ 5 V |
| 宽度 | 1.35mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V, +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 250 mA, - 880 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 0.08 S, 3 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 1500 mOhms at 4.5 V at N Channel, 260 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 功率耗散 | 270 mW |
| 封装/外壳 | SC-70-6 |
| 栅极电荷Qg | 0.9 nC, 2.2 nC |
| 上升时间 | 66 nS, 6.5 nS |
| 漏源击穿电压 | 30 V, - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 78 nS, 3.5 nS |
| Continuous Drain Current Id | :250mA |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :1ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.2V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | 80-4-5 |
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