图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTJD4105C |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V, 8V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 630mA, 775mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 375 mOhm @ 630mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 46pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 270mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SC-88 |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20@N Channel|8@P Channel V |
| 最大连续漏极电流 | 0.63@N Channel|0.775@P Channel A |
| RDS -于 | 375@4.5V@N Channel|300@4.5V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | ±12@N Channel|±8@P Channel V |
| 典型导通延迟时间 | 83@N Channel|13@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 227@N Channel|23@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 786@N Channel|50@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 506@N Channel|36@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12@N Channel|±8@P Channel |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 375@4.5V@N Channel|300@4.5V@P Cha... |
| 最大漏源电压 | 20@N Channel|8@P Channel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SC-88 |
| 最大功率耗散 | 550 |
| 最大连续漏极电流 | 0.63@N Channel|0.775@P Channel |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 630mA, 775mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 375 mOhm @ 630mA, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 270mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V, 8V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 46pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 3nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V, +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 630 mA, - 775 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 2 S, 2 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 375 mOhms at 4.5 V at N Channel, 300 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 功率耗散 | 270 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-363-6 |
| 栅极电荷Qg | 1.3 nC, 2.2 nC |
| 上升时间 | 227 nS, 23 nS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V, - 8 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 506 nS, 36 nS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 27 V, - 10.5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 0.92 V, - 0.83 V |
| 宽度 | 1.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 1.3 nC, 2.2 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V, 8 V |
| 类型 | MOSFET |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 630 mA, 775 mA |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 290 mOhms, 220 mOhms |
| 系列 | NTJD4105C |
| 身高 | 0.9 mm |
| Pd - Power Dissipation | 270 mW |
| 技术 | Si |
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