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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBF4392LT1 

产品描述

JFET 30V 10mA

内部编号

277-MMBF4392LT1

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:39000
1+¥1.0017
25+¥0.9246
100+¥0.8475
500+¥0.8475
1000+¥0.7705
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

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1+¥1.0017
25+¥0.9246
100+¥0.8475
500+¥0.8475
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#3

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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MMBF4392LT1产品详细规格

规格书 MMBF4392LT1 datasheet 规格书
MMBF4391-93LT1
文档 Multiple Devices 21/Jan/2010
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装 10
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) 25mA @ 15V
漏极至源极电压(VDSS) 30V
漏电流(ID) - 最大 -
FET 型 N-Channel
- 击穿电压(V(BR)的GSS) 30V
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID 2V @ 10nA
输入电容(Ciss)@ Vds的 14pF @ 15V
电阻 - RDS(ON) 60 Ohm
安装类型 Surface Mount
包装材料 Cut Tape (CT)
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 225mW
封装 Cut Tape (CT)
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) 30V
安装类型 Surface Mount
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) 25mA @ 15V
电阻 - RDS(ON) 60 Ohm
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
电压 - 切断(VGS关)@ Id 2V @ 10nA
其他名称 MMBF4392LT1OSCT
FET型 N-Channel
功率 - 最大 225mW
标准包装 10
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 14pF @ 15V
漏源极电压 (Vdss) 30V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 14pF @ 15V
FET 类型 N-Channel
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 30V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 2V @ 10nA
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
电阻 - RDS(开) 60 Ohm
功率 - 最大值 225mW
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) 25mA @ 15V

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