图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMBF170 |
| 文档 |
Bond Wire 3/May/2011 Green Encapsulate 15/May/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Encapsulate Change 15/May/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 500mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 A |
| RDS -于 | 5000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 5000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 2.9 |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 0.3W |
| 匹配代码 | MMBF170 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 11 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 0.5A |
| V（ DS ） | 60V |
| R（ DS上） | 5Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 500mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 40pF @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMBF170-FDICT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 500 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 0.08 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 5 Ohms |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 70 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 0.5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 5 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :500mA |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :5ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2.1V |
| 功耗 | :300mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Current Id Max | :800mA |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| 晶体管类型 | :Enhancement |
| Voltage Vds Typ | :60V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.000006 |
| Tariff No. | 85412100 |
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