规格书 |
![]() ![]() MJD44H11, MJD45H11 ![]() ![]() |
文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 8A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 40 @ 4A, 1V |
功率 - 最大 | 1.75W |
频率转换 | 90MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 80 V |
集电极最大直流电流 | 8 A |
最小直流电流增益 | 60@2A@1V|40@4A@1V |
最大工作频率 | 90(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4A@8A V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1750 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DPAK |
最低工作温度 | -55 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 90(Typ) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大功率耗散 | 1750 |
供应商封装形式 | DPAK |
最大集电极发射极电压 | 80 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 8A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 90MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
功率 - 最大 | 1.75W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 4A, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | MJD45H11T4GOSCT |
类别 | Bipolar Power |
配置 | Single |
外形尺寸 | 2.38 x 6.73 x 6.22mm |
身高 | 2.38mm |
长度 | 6.73mm |
最大的基射极饱和电压 | 1.5 V |
最大基地发射极电压 | 5 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | DPAK |
宽度 | 6.22mm |
工厂包装数量 | 2500 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 60 at 2 A at 1 V |
增益带宽产品fT | 90 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 5 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 8 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 8 A |
集电极 - 发射极电压 | 80 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 90 MHz |
功率耗散 | 1.75 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 60 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 90 MHz |
集电极电流(DC ) | 8 A |
直流电流增益 | 60 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :-80V |
Transition Frequency ft | :90MHz |
功耗 | :20W |
DC Collector Current | :-8A |
DC Current Gain hFE | :40 |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-252 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
Weight (kg) | 0.00033 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | 80-4-5 |
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