图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 2N6667,2N6668 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3V @ 100mA, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 1000 @ 5A, 3V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 峰值直流集电极电流 | 10 A |
| 最小直流电流增益 | 100@10mA@3V|1000@5A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@0.01A@5A|3@0.1A@10A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大的基射极饱和电压 | 2.8@0.01A@5A|4.5@0.1A@10A |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Rail |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 10 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@0.01A@5A|3@0.1A@10A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 10A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 100mA, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 5A, 3V |
| 其他名称 | 2N6667GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000 |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 最大集电极截止电流 | 1000 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 65 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 10 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| 功耗 | :2W |
| DC Collector Current | :-10A |
| DC Current Gain hFE | :20 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0.00204 |
| Tariff No. | 85412100 |
| associated | NTE264 273-AB |
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