规格书 |
![]() 2N6667,2N6668 |
文档 |
Multiple Devices 12/Apr/2006 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 12/Apr/2006 |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | PNP - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 10A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 3V @ 100mA, 10A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 1000 @ 5A, 3V |
功率 - 最大 | 2W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 10A |
晶体管类型 | PNP - Darlington |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 3V @ 100mA, 10A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
标准包装 | 50 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
封装 | Tube |
功率 - 最大 | 2W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 1000 @ 5A, 3V |
其他名称 | 2N6667OS |