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规格书 |
![]() ![]() APT1001R6(B,S)FLL |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 1000V (1kV) |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.6 Ohm @ 4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 55nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1320pF @ 25V |
功率 - 最大 | 266W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 [B] |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-247 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 1000 V |
最大连续漏极电流 | 8 A |
RDS -于 | 1600@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 18 ns |
典型关闭延迟时间 | 32 ns |
典型下降时间 | 19 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V (1kV) |
供应商设备封装 | TO-247 [B] |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.6 Ohm @ 4A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 266W |
封装/外壳 | TO-247-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1320pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 55nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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