图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
期货 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 1000V (1kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1 Ohm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 225nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3660pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 280W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| 供应商器件封装 | D3 [S] |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3D3PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 1000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
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