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数量:381 |
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| 规格书 |
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| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 2500V (2.5kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 40 Ohm @ 750mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 41nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1660pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16390?mpart=IXTH1N250&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 5.3(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-247-AD |
| 包装高度 | 21.46(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 250000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 40000@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 2500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TO-247AD |
| 包装长度 | 16.26(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 1.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.5 A |
| 系列 | IXTH1N250 |
| 封装/外壳 | TO-247AD |
| 单位重量 | 0.229281 oz |
| RDS（ON） | 40 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 250 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 正向跨导 - 闵 | 1.8 mS |
| 典型关闭延迟时间 | 132 ns |
| 上升时间 | 25 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 2500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 39 ns |
| 漏极电流（最大值） | 1.5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-247AD |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 2500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 1.5 A |
| 长度 | 16.26 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40 Ohms |
| 身高 | 21.46 mm |
| 典型导通延迟时间 | 69 ns |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| 技术 | Si |
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