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厂商型号

IXTH10N100D 

产品描述

MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds

内部编号

184-IXTH10N100D

生产厂商

IXYS

ixys

#1

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美国费城
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IXTH10N100D产品详细规格

规格书 IXTH10N100D datasheet 规格书
IXT(H,T)10N100D
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Depletion Mode
漏极至源极电压(VDSS) 1000V (1kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 10A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.4 Ohm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 130nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2500pF @ 25V
功率 - 最大 400W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
包装材料 Tube
FET特点 Depletion Mode
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 10A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.5V @ 250µA
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.4 Ohm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 400W
标准包装 30
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
输入电容(Ciss ) @ VDS 2500pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 130nC @ 10V

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