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厂商型号

DMN2400UFD-7 

产品描述

MOSFET N-CH 20V 900mA DFN1212-3

内部编号

110-DMN2400UFD-7

生产厂商

Diodes Inc

diodes

#1

数量:2690
1+¥2.5299
10+¥1.8188
100+¥0.8342
1000+¥0.6427
3000+¥0.547
9000+¥0.4992
24000+¥0.465
45000+¥0.4171
99000+¥0.3897
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:17690
1+¥3.4925
10+¥2.4867
100+¥1.6331
500+¥0.965
1000+¥0.7424
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:2480
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

DMN2400UFD-7产品详细规格

规格书 DMN2400UFD-7 datasheet 规格书
DMN2400UFD
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 900mA
Rds(最大)@ ID,VGS 600 mOhm @ 200mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 500nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 37pF @ 16V
功率 - 最大 400mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 3-XDFN
供应商器件封装 3-X1DFN1212
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16095?mpart=DMN2400UFD-7&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;

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