图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 DMN2400UFB4 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 10,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 750mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 550 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 900mV @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 36pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 470mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 3-XFDFN |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 750mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 900mV @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 550 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 470mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 36pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.5nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMN2400UFB4-7DICT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | DFN1006H4-3 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 0.9 V |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| 下降时间 | 9.6 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 1 S |
| Id - Continuous Drain Current | 750 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 14.8 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | DMN2400 |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 470 mW |
| 上升时间 | 3.82 ns |
| 技术 | Si |
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