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TP0610K-T1-GE3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | MOSFET 60V 0.185A 350mW 10ohm @ 4.5V Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R MOSFET P-CH D-S 60V TO-236 MOSFET, P CH, 60V, 0.185A, SOT23 Transi Vishay , P沟道 MOSFET, 185 mA, Vds=60 V, 3针 TO-236封装 MOSFET 60V -0.185A 350mW 10ohm @ 4.5V |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | TP0610K-T1-GE3CT | 零件号别名 | TP0610K-GE3 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 350mW |
| 额定功率 | 350 mW | 晶体管类型 | P-Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 | 阈值电压 | :-2V |
| 最大额定电流 | :-185mA | 导通电阻 RDS(On) | :10ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V | 最大功耗 | :350mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 导通电阻（最大） | 6000@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 1.7nC @ 15V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.185 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 185 mA | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 23pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 185mA (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 1.4(Max) | 重量 | 0.000008 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 冷却的封装 | TO-236 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 3.04(Max) |
| 包装数量 | TO-236 | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.02(Max) | 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | P |
| 通道类型 | P | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
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¥0.2174
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Vishay Intertechnology, Inc.
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R
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