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TP0610K-T1-E3

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TP0610K-T1-E3

制造商
Vishay Intertechnology, Inc.
描述Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R MOSFET 60V 0.185A P-CH MOS-FET 0,4A 60V SOT23 MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 TP0610K-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 0.185A 60V, 3-Pin TO-236 P-CH MOSFET SOT-23 60V 6OHMS @10V P CH MOSFET, FULL REEL P CH MOSFET, -60V, 185mA, TO-236 MOSFET;P-Ch;VDSS-60V;RDS(ON)10Ohms;ID-185mA;TO-236(SOT-23);PD350mW;-55degc
分类
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商业参数

最小起订量3000商标名TrenchFET
单位包装3000其他名称TP0610K-T1-E3CT
零件号别名TP0610K-E3产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量3000
标准封装名称SOT-23

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85412100抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard最大功率350mW
噪声系数Not Required dB额定功率350 mW
额定输出功率Not Required dB开通延迟时间20ns
最大频率Not Required MHz晶体管类型P-Channel
关断延迟时间35ns供电电压-1.4V
元件数量1Vgs(th)(最大)@ Id3V @ 250µA
击穿电压60 V阈值电压:-1V
导通电阻 RDS(On):6ohm导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs6000@10V mOhm
最大功耗0.35 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 60 V
每端口功率(瓦)0.25W导通电阻(最大)6 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)60V电流传输比(最大)80mS
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs1.7nC @ 15VVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)60V峰值脉冲电流(10/1000µs)0.185 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)- 185 mA
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds23pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C185mA (Ta)

机械参数

宽度1.4mm高度1.02mm
长度3.04mm重量0
包装方式Reel引脚样式Gull-wing
极化P-Channel安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:3
封装形式3TO-236冷却的封装TO-236
总长度3.04(Max)包装数量TO-236
尺寸/外形3.04 x 1.4 x 1.02mm位数3
外壳尺寸-插件1.02(Max)供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

产品信息

类型Power MOSFET已删除Compliant
极性P-KAN匹配码TP0610K
通道类型P卡标准Power MOSFET
配置Single标准交期15 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

工作温度-55 to 150 °C结工作温度+150°C

文档与媒体

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