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IRF840ASPBF

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IRF840ASPBF

制造商
描述
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK N-CH 500V 8A 850mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK IRF840ASPBF, N-channel MOSFET Transistor 8A 500V, 3-Pin D2PAK MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp MOSFET, N, 500V, 8A, D2-PAK TRANSITOR,IRF840ASPBF Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 125W; D2PAK Vishay , N沟道 MOSFET, 8 A, Vds=500 V, 3针 D2PAK封装
分类
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商业参数

最小起订量1000单位包装50
其他名称*IRF840ASPBF产品类别MOSFET
标准包装数量Bulk, Rail / Tube工厂包装数量1000
标准封装名称D2PAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900汽车级NO
抗辐射加固No无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间19 ns
最大栅源电压 Vgs±30 V逻辑类型NO
FET特性Standard最大功率3.1W
噪声系数Not Required dB额定功率3.1 W
额定输出功率Not Required dB下降时间(典型)19 ns
最大频率Not Required MHz上升时间(典型)23 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟26 ns
元件数量1Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压500 V阈值电压:4V
最大额定电流:8A导通电阻 RDS(On):850mohm
触点电压(最大):500V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs850@10V mOhm
最大功耗3.1 W传播延迟(最大)23 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic500 V漏电流(最大)8 A
每端口功率(瓦)125W导通电阻(最大)0.85 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)500V栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs38nC
峰值脉冲电流(8/20µs):32A开关时间(Ton, Toff)(最大)11 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %漏源电压(Vdss)500V
峰值脉冲电流(10/1000µs)8 A栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)8A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1018pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C8A (Tc)

机械参数

宽度9.65mm高度4.83mm
长度10.67mm重量0.0018
包装方式Tube插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing端接方式:SMD
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数:3封装形式3D2PAK
冷却的封装D2PAK材料表面处理:-
总长度10.41(Max)包装数量D2PAK
尺寸/外形10.67 x 9.65 x 4.83mm位数3
外壳尺寸-插件4.83(Max)供应商器件封装D2PAK

产品信息

SPG50类型Power MOSFET
已删除Compliant极性N
匹配码IRF840ASPBF技术HighV.
SMD标记:IRF840AS通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET配置Single
单元数量1标准交期12 weeks
印刷电路板数量2

环境参数

测试温度:25°C热阻:1°C/W
工作温度-55 to 150 °C热阻 @ GPM1K/W

文档与媒体

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