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IRF840ASPBF
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK N-CH 500V 8A 850mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK IRF840ASPBF, N-channel MOSFET Transistor 8A 500V, 3-Pin D2PAK MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp MOSFET, N, 500V, 8A, D2-PAK TRANSITOR,IRF840ASPBF Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 125W; D2PAK Vishay , N沟道 MOSFET, 8 A, Vds=500 V, 3针 D2PAK封装 |
| 分类 |
商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | *IRF840ASPBF | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Bulk, Rail / Tube | 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | D2PAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 19 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 3.1W |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 3.1 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 下降时间(典型) | 19 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 上升时间(典型) | 23 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 26 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 500 V | 阈值电压 | :4V |
| 最大额定电流 | :8A | 导通电阻 RDS(On) | :850mohm |
| 触点电压(最大) | :500V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 850@10V mOhm |
| 最大功耗 | 3.1 W | 传播延迟(最大) | 23 ns |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 500 V | 漏电流(最大) | 8 A |
| 每端口功率(瓦) | 125W | 导通电阻(最大) | 0.85 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 500V | 栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 38nC |
| 峰值脉冲电流(8/20µs) | :32A | 开关时间(Ton, Toff)(最大) | 11 ns |
| Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 8 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0) | 8A | 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 1018pF @ 25V |
| 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 8A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 9.65mm | 高度 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm | 重量 | 0.0018 |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing | 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3D2PAK |
| 冷却的封装 | D2PAK | 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 10.41(Max) | 包装数量 | D2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.83(Max) | 供应商器件封装 | D2PAK |
产品信息
| SPG | 50 | 类型 | Power MOSFET |
| 已删除 | Compliant | 极性 | N |
| 匹配码 | IRF840ASPBF | 技术 | HighV. |
| SMD标记 | :IRF840AS | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
| 单元数量 | 1 | 标准交期 | 12 weeks |
| 印刷电路板数量 | 2 | ||
环境参数
| 测试温度 | :25°C | 热阻 | :1°C/W |
| 工作温度 | -55 to 150 °C | 热阻 @ GPM | 1K/W |
文档与媒体
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Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK N-CH 500V 8A 850mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK IRF840ASPBF, N-channel MOSFET Transistor 8A 500V, 3-Pin D2PAK MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp MOSFET, N, 500V, 8A, D2-PAK TRANSITOR,IRF840ASPBF Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 125W; D2PAK Vishay , N沟道 MOSFET, 8 A, Vds=500 V, 3针 D2PAK封装

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