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CSD16325Q5
| 制造商 | Texas Instruments Incorporated |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON MOSFET, N CH, 25V, 100A, 8SON N-Channel NexFET™ Power MOSFET |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | NexFET | 其他名称 | 296-24964-2 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 零件状态 | ACTIVE | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 12 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 18 nC | 最大功率 | 3.1W |
| 额定功率 | 3.1 W | 下降时间（典型） | 12 ns |
| 上升时间（典型） | 16 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 32 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.4V @ 250µA | 击穿电压 | 25 V |
| 阈值电压 | :1.1V | 最大额定电流 | :100A |
| 导通电阻 RDS(On) | :1.7mohm | 触点电压（最大） | :25V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 2@8V mOhm | 最大功耗 | :3.1W |
| 传播延迟（最大） | 16 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes | 导通电阻（最大） | 2@8V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 25nC @ 4.5V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | 200 |
| 直流电阻（DCR）- 初级 | 159 S | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10.5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 33 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 33 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4000pF @ 12.5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 33A (Ta), 100A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 6.1(Max) | 重量 | 0.0035 |
| 包装方式 | Reel | 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8SON EP |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 5.1(Max) |
| 包装数量 | SON EP | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.05(Max) | 供应商器件封装 | 8-SON |
产品信息
| 软件 | SLPS218C | 基本单元 | :16325 |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 图案编号 | Y | 使用的IC/零件 | View |
| 其他规格 | 3.5 | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | -55 to 150 °C |
文档与媒体
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