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STP75NF75

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STP75NF75

制造商
描述
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 75V 80A 11mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 STP75NF75, N-channel MOSFET Transistor 80A 75V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 75 Volt 80 Amp MOSFET, N, TO-220 STP75NF75 MOSFET N, 75 V 80 A 300 W TO-220, STP75NF75, ST STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET , 80 A, Vds=75 V, 3针 TO-220封装
分类
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商业参数

最小起订量50单位包装50
其他名称497-2788-5产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube工厂包装数量1000
标准封装名称TO-220

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
汽车级NO抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间30 ns
压摆率:12V/µs最大栅源电压 Vgs±20 V
逻辑类型NOFET特性Standard
最大功率300W噪声系数Not Required dB
额定功率300 W额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)30 ns最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)100 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟66 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA击穿电压75 V
阈值电压:3V最大额定电流:80A
导通电阻 RDS(On):11mohm触点电压(最大):75V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs11@10V mOhm最大功耗300 W
传播延迟(最大)100 ns集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic75 V
漏电流(最大)80 A每端口功率(瓦)300W
导通电阻(最大)0.011 Ω供电电压 (Vcc/Vdd)75V
电流传输比(最小)20 S栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs160nC
峰值脉冲电流(8/20µs):320A开关时间(Ton, Toff)(最大)25 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %漏源电压(Vdss)75V
截止电压(VGS off)@ Id:10V峰值脉冲电流(10/1000µs)80 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)80A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3700pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C80A (Tc)

机械参数

宽度4.6mm高度9.15mm
长度10.4mm重量0.050717 oz
包装方式Tube插片宽度Tab
引脚样式Through Hole端接方式:Through Hole
安装类型Through Hole安装样式Through Hole
引脚数:3封装形式3TO-220
冷却的封装TO-220材料表面处理:-
总长度10.4(Max)包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 9.15mm位数3
外壳尺寸-插件9.15(Max)供应商器件封装TO-220AB

产品信息

类型Power MOSFET极性N
匹配码STP75NF75技术STripFET
通道类型Enhancement卡标准Power MOSFET
配置Single标准交期10 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

工作温度-55 to 175 °C热阻 @ GPM0.5K/W
结工作温度:175°C

文档与媒体

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