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商业参数
| 其他名称 | MMBF2201NT1GOSCT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-323 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 2.5 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 150mW | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 0.15 W | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 0.8 ns | 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 2.5 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 15 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.4V @ 250µA | 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :1.7V | 最大额定电流 | :300mA |
| 导通电阻 RDS(On) | :1ohm | 触点电压（最大） | :20V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1000@10V mOhm | 最大功耗 | :150mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 漏电流（最大） | 0.3 A |
| 导通电阻（最大） | 1 ohm | 电流传输比（最小） | 0.45 S |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 2.5 ns | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.3 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 300 mA |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 45pF @ 5V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 300mA (Ta) |
机械参数
| 重量 | 0.000005 | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3SC-70 |
| 冷却的封装 | SC-70 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | SC-70 | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 (SOT323) | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
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