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BSS123LT1G

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BSS123LT1G

制造商
onsemi
描述Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 BSS123LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.17A 100V, 3-Pin SOT-23 MOSFET 100V 170mA N-Channel MOSFET, N CH, 100V, 170MA, SOT-23-3 MOSFET, N, SOT-23 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS100VDC;RDS(ON)5Ohms;ID0.17A;SOT-23(TO-236);PD225mW ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 170 mA, Vds=100 V, 3针 SOT-23封装
分类
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商业参数

其他名称BSS123LT1GOSTR产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量3000
标准封装名称SOT-23

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate最大功率225mW
噪声系数Not Required dB额定功率0.225 W
额定输出功率Not Required dB开通延迟时间20ns
最大频率Not Required MHz晶体管类型N-Channel
关断延迟时间40ns首抽头延迟40 ns
供电电压1.3V元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id2.8V @ 1mA击穿电压100 V
阈值电压:20V最大额定电流:170mA
导通电阻 RDS(On):5ohm触点电压(最大):100V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs6000@10V mOhm最大功耗0.225 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic100 V漏电流(最大)0.17 A
导通电阻(最大)6 Ω电流传输比(最大)80Millimhos
电流传输比(最小)0.08 S峰值脉冲电流(8/20µs):680mA
开关时间(Ton, Toff)(最大)20 nsVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)100V峰值脉冲电流(10/1000µs)0.17 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)170 mA
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds20pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C170mA (Ta)

机械参数

深度:2.5mm宽度1.3mm
高度0.94mm长度2.9mm
重量0.000033包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing极化N-Channel
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数:3封装形式3SOT-23
冷却的封装SOT-23材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度2.9包装数量SOT-23
尺寸/外形2.9 x 1.3 x 0.94mm胶带最大宽度:8mm
位数3外壳尺寸-插件0.94
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

产品信息

类型Power MOSFET极性N
SMD标记:SA通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET配置Single
印刷电路板数量3

环境参数

测试温度:25°C工作温度-55 to 150 °C
结工作温度+150°C

文档与媒体

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