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H55S1222EFP-E3图片

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

H55S1222EFP-E3

产品描述

H55S1222EFP-E3, SDRAM Memory 128Mbit Surface Mount, 166MHz, 1.7 to 1.95V, -30 to +85°C, 90-Pin, FBGA

内部编号

902-H55S1222EFP-E3

生产厂商

Hynix

Hynix

#1

数量:1710

1+	¥39.463
5+	¥32.319

最小起订金额:￥6000
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H55S1222EFP-E3产品详细规格

地址总线宽度	12bit
数据总线宽度	32bit
数据传输速率	166MHz
外形尺寸	13 x 8 x 0.61mm
身高	0.61mm
长度	13mm
最大工作电源电压	1.95 V
最高工作温度	+85 °C
最大随机存取时间	5.4ns
存储容量	128Mbit
最低工作电源电压	1.7 V
最低工作温度	-30 °C
安装类型	Surface Mount
每字位数	32bit
字数	1M
组织	4M x 32 bit
包装类型	FBGA
引脚数	90
宽度	8mm

H55S1222EFP-E3系列产品

型号	厂家	产品描述
H55S1262EFP-E3	Hynix	H55S1262EFP-E3, DDR SDRAM Memory 128Mbit, 2M x 16 bit, 166MHz, 5.4ns, 1.8V, 54-Pin, FBGA
H55S1G22MFP-E3	Hynix	H55S1G22MFP-E3, SDRAM Memory 1, 2Gbit Surface Mount, 166MHz, 1.7 to 1.95V, -30 to +85°C, 90-Pin, FBGA
H55S2522JFR-E3	Hynix	H55S2522JFR-E3, SDRAM Memory 256Mbit Surface Mount, 166MHz, 1.7 to 1.95V, -30 to +85°C, 90-Pin, FBGA
H55S5122DFR-60M	HYNIX SEMICONDUCTOR
H55S5122DFR-E3	Hynix	H55S5122DFR-E3, SDRAM Memory 512Mbit Surface Mount, 166MHz, 1.7 to 1.95V, -30 to +85°C, 90-Pin, FBGA
H55S5122EFR-60M	HYNIX SEMICONDUCTOR
H55S5162DFR-60M	HYNIX SEMICONDUCTOR
H55S5162DFR-E3	Hynix	H55S5162DFR-E3, SDRAM Memory 512Mbit Surface Mount, 166MHz, 1.7 to 1.95V, -30 to +85°C, 54-Pin, FBGA

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