图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 ATF-35143 |
| 文档 |
Alternate Assembly and Test Sources 15/May/2012 |
| 标准包装 | 100 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 频率 | 2GHz |
| 增益 | 18dB |
| 电压 - Test | 2V |
| 当前 Rating | 80mA |
| 噪声系数 | 0.4dB |
| 当前 - Test | 15mA |
| Power - 输出功率 | 10dBm |
| 电压 - 额定 | 5.5V |
| 包/盒 | SC-82A, SOT-343 |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 包装材料 | Bulk |
| 动态目录 | RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17278?mpart=ATF-35143-BLKG&vendor=516&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 4SOT-343 |
| 配置 | Single Dual Source |
| 最大漏源电压 | 5.5 V |
| 最大连续漏极电流 | 80 mA |
| 最大门源电压 | -5 V |
| 工作温度 | -65 to 160 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | SOT-343 |
| 最大门源电压 | -5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 160 |
| 包装宽度 | 1.35(Max) |
| 标准包装名称 | SC-70 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大漏极栅极电压 | -5 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Bag |
| 标签 | Tab |
| 最大连续漏极电流 | 80 |
| PCB | 3 |
| 包装长度 | 2.25(Max) |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 5.5 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 电压 - 额定 | 5.5V |
| 噪声系数 | 0.4dB |
| 供应商设备封装 | SOT-343 |
| 电压 - 测试 | 2V |
| 频率 | 2GHz |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SC-82A, SOT-343 |
| 电流 - 测试 | 15mA |
| 额定电流 | 80mA |
| 功率 - 输出 | 10dBm |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 0.08 A |
| 栅源电压（最大值） | 5 V |
| 包装类型 | SOT-343 |
| 工作温度（最大） | 160C |
| 工作温度（最小值） | -65C |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏栅极电压（最大值） | -5 V |
| 漏源电压（最大值） | 5.5 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 产品 | RF JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 5.5 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 5 V |
| 正向跨导 - 闵 | 120 mmho |
| 品牌 | Broadcom / Avago |
| Id - Continuous Drain Current | 80 mA |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| NF - Noise Figure | 0.4 dB |
| P1dB - Compression Point | 11 dBm |
| 工作频率 | 2 GHz |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 技术 | GaAs |
| 最高工作温度 | + 160 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
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