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数量:13 |
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| 规格书 |
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| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流 | 13 A |
| 封装 | Tray |
| 功率耗散 | 270 W |
| 频率 | 200 MHz |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | Case 211-11 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Pd - Power Dissipation | 270 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V |
| Id - Continuous Drain Current | 13 A |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 40 V |
| 工作频率 | 200 MHz |
| 技术 | Si |
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