MRF151GB

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Transistors RF MOSFET RF Transistor

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数量:5

最小起订量:1
美国加州
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数量:3

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规格书
安装风格	SMD/SMT
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	40 V
连续漏极电流	40 A
封装	Tray
功率耗散	500 W
频率	175 MHz
最低工作温度	- 65 C
封装/外壳	SOT-262A
配置	Dual
最高工作温度	+ 200 C
漏源击穿电压	125 V
RoHS	RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	125 V
Id - Continuous Drain Current	40 A
类型	RF Power MOSFET
品牌	Advanced Semiconductor, Inc.
Vgs - Gate-Source Voltage	40 V
Pd - Power Dissipation	500 W
工作频率	175 MHz
技术	Si

型号	厂家	产品描述
MRF151A	m/a-com technology solutions	Trans MOSFET N-CH 125V 16A 4-Pin Case 211-11
MRF151G	Advanced Semiconductor, Inc.	Transistors RF MOSFET RF Transistor
MRF151G	m/a-com technology solutions	Trans MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case 375-04
MRF151GC	Advanced Semiconductor, Inc.	Transistors RF MOSFET RF Transistor

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