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厂商型号

TEST2600 

产品描述

Phototransistor IR Chip Silicon 920nm 2-Pin Side View Micro

内部编号

5-TEST2600

#1

数量:4025
1+¥6.9366
10+¥5.6147
25+¥4.319
100+¥3.8871
250+¥3.4552
500+¥2.9369
1000+¥2.4187
2500+¥2.2977
5000+¥2.2459
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:2386
1+¥7.248
10+¥4.971
100+¥3.9727
500+¥2.9812
1000+¥2.5299
2500+¥2.4069
5000+¥2.3522
10000+¥2.2564
25000+¥2.2017
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:1020
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

TEST2600产品详细规格

规格书 TEST2600 datasheet 规格书
TEST2600 datasheet 规格书
TEST2600 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 70V
- 集电极电流(Ic)(最大) 50mA
电流 - 暗(ID)(最大值) 100nA
波长 950nm
可视角度 120°
功率 - 最大 100mW
安装类型 Through Hole
取向 Universal
包/盒 Radial, Side View
包装 2Side View Micro
类型 IR Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 5 V
最大集电极电流 50 mA
峰值波长 920 nm
透镜形状类型 Domed
观看方向 Side View
半强度角度 60 °
极性 NPN
截止滤光片 Visible Cut-off
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Phototransistors
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 100 mW
最大暗电流 100 nA
封装/外壳 Side View Micro
集电极 - 发射极最大电压VCEO 70 V
集电极 - 发射极击穿电压 70 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.3 V
最高工作温度 + 85 C
最低工作温度 - 40 C
封装 Bulk
产品 Phototransistors
工厂包装数量 5000
波长 920 nm
最大光电流 2500(Typ)
安装 Through Hole
最大集电极发射极饱和电压 0.3
包装宽度 2.2
PCB 2
最大功率耗散 100
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的通道数 1
引脚数 2
最大暗电流 100
峰值波长 920
最低工作温度 -40
供应商封装形式 Side View Micro
标准包装名称 Side View
最高工作温度 85
最大的发射极集电极电压 5
包装长度 3.6
半强度角度 60
最大集电极发射极电压 70
包装高度 3.1
最大集电极电流 50
单位包 5000
最小起订量 5000
电流 - 暗( Id)(最大) 100nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
定位 Universal
安装类型 Through Hole
系列 *
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 70V
可视角度 120°
功率 - 最大 100mW
其他名称 751-1061
封装/外壳 Radial, Side View
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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