规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
800 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
60A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
3.9 mOhm @ 20A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
50nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
5950pF @ 10V |
功率 - 最大 |
3.75W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 |
TO-263 (D2Pak) |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3TO-263 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
20 V |
最大连续漏极电流 |
60 A |
RDS -于 |
3.9@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
15 ns |
典型上升时间 |
7 ns |
典型关闭延迟时间 |
35 ns |
典型下降时间 |
8 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Rail / Tube |
最大门源电压 |
±20 |
包装宽度 |
9.65(Max) |
PCB |
2 |
最大功率耗散 |
3750 |
最大漏源电压 |
20 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最大漏源电阻 |
3.9@10V |
每个芯片的元件数 |
1 |
最低工作温度 |
-55 |
供应商封装形式 |
TO-263 |
标准包装名称 |
D2PAK |
最高工作温度 |
175 |
渠道类型 |
N |
包装长度 |
10.41(Max) |
引脚数 |
3 |
包装高度 |
4.83(Max) |
最大连续漏极电流 |
60 |
标签 |
Tab |
铅形状 |
Gull-wing |
单位包 |
800 |
最小起订量 |
800 |
FET特点 |
Logic Level Gate |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
60A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
3V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
20V |
供应商设备封装 |
TO-263 (D2Pak) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
3.9 mOhm @ 20A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
3.75W |
封装/外壳 |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
5950pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
50nC @ 4.5V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
800 |
产品种类 |
MOSFET |
晶体管极性 |
N-Channel |
配置 |
Single |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
连续漏极电流 |
60 A |
安装风格 |
SMD/SMT |
RDS(ON) |
3.9 mOhms |
功率耗散 |
3.75 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
上升时间 |
7 ns |
最高工作温度 |
+ 175 C |
漏源击穿电压 |
20 V |
RoHS |
RoHS Compliant By Exemption |
下降时间 |
8 ns |
系列 |
SUM |
品牌 |
Vishay Semiconductors |
身高 |
4.83 mm |
宽度 |
9.65 mm |
长度 |
10.67 mm |
商品名 |
TrenchFET |
技术 |
Si |