1. SUM60N02-3M9P-E3
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厂商型号

SUM60N02-3M9P-E3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263

内部编号

5-SUM60N02-3M9P-E3

#1

数量:774
1+¥22.6328
10+¥18.1883
100+¥16.5472
250+¥14.9746
500+¥13.3335
800+¥11.2822
2400+¥10.7352
4800+¥9.8463
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:797
1+¥33.6677
10+¥30.0704
100+¥24.6598
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SUM60N02-3M9P-E3产品详细规格

规格书 SUM60N02-3M9P-E3 datasheet 规格书
SUM60N02-3M9P-E3 datasheet 规格书
SUM60N02-3M9P-E3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 60A
Rds(最大)@ ID,VGS 3.9 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 50nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5950pF @ 10V
功率 - 最大 3.75W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 TO-263 (D2Pak)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-263
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 60 A
RDS -于 3.9@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 15 ns
典型上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型下降时间 8 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
包装宽度 9.65(Max)
PCB 2
最大功率耗散 3750
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 3.9@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-263
标准包装名称 D2PAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 10.41(Max)
引脚数 3
包装高度 4.83(Max)
最大连续漏极电流 60
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
单位包 800
最小起订量 800
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 60A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 TO-263 (D2Pak)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.9 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.75W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 5950pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 50nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 800
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 60 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 3.9 mOhms
功率耗散 3.75 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 7 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 8 ns
系列 SUM
品牌 Vishay Semiconductors
身高 4.83 mm
宽度 9.65 mm
长度 10.67 mm
商品名 TrenchFET
技术 Si

SUM60N02-3M9P-E3系列产品

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