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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 110A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 100nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3TO-263 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 110 A |
| RDS -于 | 6@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 3700 |
| 最大漏源电压 | 55 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 6@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 110 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 158W |
| 匹配代码 | SUM110N05-06L-E3 |
| R（ THJC ） | 0.95K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 800 |
| 标准的提前期 | 26 weeks |
| 最小起订量 | 800 |
| Q（克） | 100nC |
| LLRDS （上） | 0.0085Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 110A |
| V（ DS ） | 55V |
| 技术 | TrenchFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.006Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 110A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 供应商设备封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3300pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 100nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SUM110N05-06L-E3CT |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 110 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 6 mOhms |
| 功率耗散 | 3.7 W |
| 商品名 | TrenchFET |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
| 上升时间 | 15 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 15 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.006 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-263 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 弧度硬化 | No |
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