图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
SQM200N04-1M1L-GE3 |
| 单位包 | 800 |
| 最小起订量 | 800 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 200A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 800 |
| 供应商设备封装 | TO-263-7 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.1 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 375W |
| 封装/外壳 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 20655pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 413nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 200 A |
| 正向跨导 - 闵 | 219 S |
| RDS（ON） | 1.1 mOhms |
| 功率耗散 | 375 W |
| 下降时间 | 189 ns |
| 商品名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 665 ns |
| 上升时间 | 18 ns |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 栅极电荷Qg | 413 nC |
| Continuous Drain Current Id | :200A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0008ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :375W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :7 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 200A (Tc) |
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