图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
SIHP30N60E SIHP30N60E |
| 单位包 | 1000 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 29A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2600pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 130nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 29 A |
| 系列 | E |
| RDS（ON） | 125 mOhms |
| 功率耗散 | 250 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :29A |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :0.104ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 功耗 | :250W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 29A (Tc) |
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