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厂商型号

SI7892DP-T1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R

内部编号

5-SI7892DP-T1

订购说明

质量保障

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SI7892DP-T1产品详细规格

规格书 SI7892DP-T1 datasheet 规格书
包装 8PowerPAK SO
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 15 A
RDS -于 4.5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 17 ns
典型上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 65 ns
典型下降时间 35 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 4.5@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 PowerPAK SO
最大功率耗散 1900
最大连续漏极电流 15
引脚数 8
铅形状 No Lead
单位包 0
最小起订量 1

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